Название | Способ электроосаждения селенида олова SnSe на твердых подложках |
---|---|
Разработчик (Авторы) | Уразов Кажмухан Аманкелдиевич, Нуртазина Айжан Еркинбекқызы, Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна |
Вид объекта патентного права | Полезная модель |
Регистрационный номер | 2380 |
Дата регистрации | 29.09.2016 |
Правообладатель | Акционерное общество «Институт Топлива, Катализа и Электрохимии им. Д.В. Сокольского» |
Область применения (класс МПК) | H01L 31/18 (2006.01) C25D 9/04 (2006.01) |
Полезная модель относится к способам изготовления нанокристаллических пленок селенида олова SnSe, являющегося как самостоятельным оптическим элементом, так и прекурсором для ФЭП типа Cu2ZnSnS4 и обладающего наноструктурой и увеличенной шириной запрещенной зоны. Используя предлагаемый в данной полезной модели метод электроосаждения селенида олова на твердых подложках, можно реализовать технологию получения тонких пленок SnSe, из водных растворов содержащих Sn(II) и Se(IV) при низких температурах с небольшим расходом материалов, которая в дальнейшем может быть использована при изготовлении каскадных тонкопленочных фотоэлементах. Для решения поставленной задачи ведут последовательное осаждение сначала тонкой пленки олова на твердой подложке, а затем меняют электролит и на пленке олова осаждают селен. Для осаждения олова используют раствор цитрата натрия (рН= 4,7), содержащий соль двухвалентного олова. Для осаждения селена- сульфосалициловую кислоту (рН=1,3) с добавкой селенистокислого натрия. Полученную пленку селенида олова отжигают в атмосфере воздуха при 300°С.