Способ электроосаждения тонких пленок CdSe, обладающих высокой фоточувствительностью

Название	Способ электроосаждения тонких пленок CdSe, обладающих высокой фоточувствительностью
Разработчик (Авторы)	Хусурова Гулинур Марсовна, Уразов Кажмухан Аманкелдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Пузикова Дарья Сергеевна
Вид объекта патентного права	Изобретение
Регистрационный номер	33135
Дата регистрации	16.03.2017
Правообладатель	Акционерное общество «Институт Топлива, Катализа и Электрохимии им. Д.В. Сокольского»
Область применения (класс МПК)	C25D 9/04 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)

Описание изобретения

Изобретение относится к области нанесения электролитических покрытий и электролитического осаждения нанокристаллических пленок полупроводниковых соединений, чувствительных к видимому свету, которые могут быть использованы для оптических элементов и изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Задачей предлагаемого изобретения является улучшение стехиометрического и фазового состава, достижение лучшей морфологии поверхности, уменьшение размера частиц, увеличение ширины запрещенной зоны и увеличение фототока тонкой пленки соединения CdSe, обладающей полупроводниковыми свойствами, путем ее электроосаждения из водного сернокислого раствора, содержащего соли кадмия и селена на проводящее стекло (FТО/ стекло) и использования электролита с добавкой поверхностно-активного вещества лигносульфаната натрия. Поставленная техническая задача достигается способом электроосаждения тонкой пленки CdSe на (FТО/ стекло) из сернокислого электролита, содержащего ионы кадмия и селена в соотношении 45:1 и добавки лигносульфаната натрия в концентрации 9г/л. (рН=2). Элементный состав осадка определяют с помощью энергодисперсионного анализа, используя рентгеновскую приставку к электронному микроскопу, фазовый состав осадка определяют методом рентгено-фазового анализа (РФА), морфологию поверхности определяют с помощью атомно-силовой микроскопии, ширина запрещенной зоны рассчитывается на основе спектров пропускания, полученных с помощью спектрофотометра СФ-256 UV. Фототок определяют методом фотоэлектрохимии (РЕС) в растворе Na2 SO3. Техническим результатом является получение методом электроосаждения фотоанодов CdSe/FTO/стекло, отвечающих элементному и фазовому составу CdSe, имеющих микростуктурную поверхность и увеличенную ширину запрещенной зоны, равную 2,0эВ, и обладающих улучшенными фотоэлектрохимическими свойствами. 

Изобретение "Способ электроосаждения тонких пленок CdSe, обладающих высокой фоточувствительностью" (Хусурова Гулинур Марсовна, Уразов Кажмухан Аманкелдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Пузикова Дарья Сергеевна) отмечено юбилейной наградой (25 лет Российской Академии Естествознания)
Медаль Альфреда Нобеля

Оформление наградных документов и заказ каталога