L международная выставка-презентация
научных, технических, учебно-методических и литературно-художественных изданий
Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2 с повышенным содержанием галлия
| Название | Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2 с повышенным содержанием галлия |
|---|---|
| Разработчик (Авторы) | Уразов Кажмухан Аманкелдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Журинов Мурат Журинович |
| Вид объекта патентного права | Изобретение |
| Регистрационный номер | 28251 |
| Дата регистрации | 17.07.2013 |
| Правообладатель | Акционерное общество "Институт органического катализа и электрохимии имени Д.В. Сокольского" |
| Область применения (класс МПК) | H01L 31/06 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C25D 9/04 (2006.01) |
Описание изобретения
Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия. В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или сульфосалициловой кислоты. В качестве электролита используют в первой стадии 0,1М сульфосалициловую кислоту, содержащую М: CuSO.i —110" ; In2(S04)3 7Н20 - 4-10"3; NaHSe03 - 2-10'3 и электроосаждение ведут при 70°С, а во второй стадии на полученную прекурсорную пленку ведут электроосаждение из электролита на основе 0,5М сульфосалициловой ( или сульфаминовой), кислоты, содержащей М: CuS04 -1-10"3; Ga2(S04)3 - 4-10"3; NaHSeO3-2-10"3. После электроосаждения проводят отжиг в воздушной атмосфере при 410°С. В результате получают пленку полупроводникового соединения состава Culn() 7Ga0,3Se2, с подтвержденной структурой и лучшим электронным качеством. По результатам рентгенофазового анализа стехиометрия полученных пленок соответствует соединению CuIni_xGaxSe2, где х=0,3.
Медаль Альфреда Нобеля