СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Название	СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Разработчик (Авторы)	Мустафаев Гасан Абакарович, Тешев Руслан Шахбанович, Мустафаев Арслан Гасанович
Вид объекта патентного права	Изобретение
Регистрационный номер	99111703
Дата регистрации	20.04.2001
Правообладатель	Кабардино-Балкарский государственный университет
Область применения (класс МПК)	H01L 21/30 (2000.01)

Описание изобретения

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Целью изобретения является разработка способа повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов, обеспечивающего технологическую воспроизводимость, расширение диапазона работы, повышение надежности и увеличение выхода годных приборов.

Указанная цель достигается тем, что в способе формирования полупроводниковых приборов на конечной стадии изготовления они подвергаются обработке высокоэнергетичными магнитными полями в объеме пирамиды, в течение не менее 5 часов, с последующим стабилизирующим отжигом при температуре 150 - 200^oC в течение 10 - 30 минут.

При воздействии магнитного поля на полупроводники в объеме и на поверхности полупроводниковой структуры уменьшаются центры рекомбинации, обуславливая снижение составляющих тока базы и способствующих повышению коэффициента усиления полупроводниковых приборов.

По предлагаемому способу были обработаны изготовленные по принятой технологии готовые полупроводниковые приборы и схемы с низким коэффициентом усиления. Коэффициент усиления образцов был приведен к норме согласно требованию ТУ при сохранении остальных параметров в пределах требований ТУ.

Результаты обработки полупроводниковых приборов представлены в таблице.

Количество обработанных полупроводниковых приборов 1000, количество годных приборов 902. Процесс выхода годных приборов после обработки 90%.

Как видно из анализа полученных данных, разработанная технология, включающая обработку полупроводниковых приборов магнитными полями в объеме пирамиды в течение не менее 5 часов, с последующим термостабилизирующим отжигом, при температуре 150 - 200^oC позволяет:

• повысить коэффициент усиления полупроводниковых приборов;
• повысить процент выхода годных приборов;
• расширить частотный диапазон работы полупроводниковых приборов в сторону более высоких частот, так как с увеличением коэффициента усиления, время переключения прибора снижается и расширяется динамический диапазон.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям ТУ.

Предложенный способ повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов,  включающий операции диффузии примесей сначала акцепторной в эпитаксиальный слой n-типа, затем донорной в сформированную область р-типа, и обработку их магнитными полями в объеме пирамиды в течение не менее 5 часов, с последующим стабилизирующим термическим отжигом при температуре 150 - 200^oC в течение 10 - 30 мин позволяет значительно повысить процент выхода годных приборов, улучшить надежность, при одновременном снижении затрат.

Формула изобретения

Способ повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов на основе кремния, включающий операции диффузии примесей сначала акцепторной в эпитаксиальный слой n-типа, затем донорной в сформированную область р-типа, отличающийся тем, что обработку полупроводниковых приборов проводят магнитными полями в объеме пирамиды, в течение не менее 5 ч, а затем проводят отжиг при температуре 150-200°С в течение 10-30 мин.

Изобретение "СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ" (Мустафаев Гасан Абакарович, Тешев Руслан Шахбанович, Мустафаев Арслан Гасанович) отмечено юбилейной наградой (25 лет Российской Академии Естествознания)
Медаль Альфреда Нобеля

Оформление наградных документов и заказ каталога