The formation of structural imperfections in semiconductor silicon

Группа	Научная литература
Название на русском языке	The formation of structural imperfections in semiconductor silicon
Авторы на русском языке	Talanin V.I., Talanin I.E.
Вид издания на русском языке	Монография
Издательство на русском языке	Newcastle (Great Britain), Cambridge Scholars Publ., 2018. – 281 p.

Резюме

Сегодня трудно представить все сферы человеческой деятельности без персональных компьютеров, твердотельных электронных устройств, микро- и наноэлектроники, фотопреобразователей и устройств мобильной связи. Основным материалом современной электроники для всех этих отраслей является полупроводниковый кремний. Его свойства и применение определяются дефектами его кристаллической структуры. Однако до сих пор не было полного и достоверного описания образования и преобразования такой дефектной структуры. Эта книга раскрывает эту загадку с помощью двух разных подходов к полупроводниковому кремнию: классического и вероятностного. Эта книга впервые объединяет всю имеющуюся экспериментальную и теоретическую информацию о внутренней структуре полупроводникового кремния. Книга будет полезна широкому кругу читателей, от материаловедов и инженеров-практиков до студентов, и может быть использована в качестве учебника.

Издание "The formation of structural imperfections in semiconductor silicon" (Talanin V.I., Talanin I.E.) отмечено наградой
МЕДАЛЬ «ЗА ВЕРНОСТЬ ТРАДИЦИЯМ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ» С УДОСТОВЕРЕНИЕМ

Оформление наградных документов и заказ каталога